(الصين)YY112N جهاز كروماتوغرافيا الغاز (GC)

ثالثًا.فرن عمودي:
1. محتوى المنتج: 22 لترًا
2. نطاق التحكم في درجة الحرارة: من 5 درجات مئوية إلى 400 درجة مئوية في درجة حرارة الغرفة
3. دقة التحكم في درجة الحرارة: ±0.1 درجة مئوية
4. معدل التسخين: 0.1 ~ 60 درجة مئوية / دقيقة
5. ترتيب ارتفاع درجة حرارة البرنامج: 9
6. دقة تكرار برنامج التسخين: ≤ 2%
7. طريقة التبريد: افتح الباب بعد
8. سرعة التبريد: ≤10 دقائق (250 درجة مئوية ~ 50 درجة مئوية)

رابعاً: وظيفة برنامج التحكم
1. التحكم في صندوق درجة حرارة العمود
2. كاشفيتحكم
3. التحكم في الحاقن
4. عرض الخريطة

حاقن V.Sampler
1. نطاق التحكم في درجة الحرارة: من 7 درجات مئوية إلى 420 درجة مئوية في درجة حرارة الغرفة
2. طريقة التحكم في درجة الحرارة: التحكم المستقل في درجة الحرارة
3. وضع التحكم في تدفق الغاز الحامل: ضغط ثابت
4. عدد التركيبات المتزامنة: 3 كحد أقصى
5. نوع وحدة الحقن: عمود التعبئة، وحدة التحويلة
6. نسبة التقسيم: عرض نسبة التقسيم
7. نطاق ضغط الأسطوانة: من 0 إلى 400 كيلو باسكال
8. دقة التحكم في ضغط الأسطوانة: 0.1 كيلو باسكال
9. نطاق ضبط التدفق: H2O ~ 200 مل/دقيقة، N2O ~ 150 مل/دقيقة

سادساً: الكاشف:

1. كاشف تدفق اللهب (FID) وكاشف التوصيل الحراري (TCD) اختياريان
2. التحكم في درجة الحرارة: بحد أقصى 420 درجة مئوية
3. عدد التركيبات المتزامنة: 2 كحد أقصى
4. وظيفة التشغيل: تلقائي
5.كاشف تأين اللهب الهيدروجيني (FID)
6. حد الكشف: ≤ 3×10-12 جم/ثانية (هيكساديكان عادي)
7. مستوى الضوضاء الأساسي: ≤ 5 × 10⁻¹⁴ أمبير
8. انحراف خط الأساس: ≤ 6 × 10⁻¹³ أمبير
9. المدى الديناميكي: 107
RSD: 3% أو أقل
10.كاشف التوصيل الحراري (TCD) :
11. الحساسية: 5000 ملي فولت/مليغرام (ن-سيتان)
12. مستوى الضوضاء الأساسي: ≤ 0.05 ملي فولت
13. انحراف خط الأساس: ≤ 0.15 ملي فولت / 30 دقيقة
14. المدى الديناميكي: 105
15. جهد التغذية: تيار متردد 220 فولت ± 22 فولت، 50 هرتز ± 0.5 هرتز
16. الطاقة: 3000 واط